並推動標準化
，力士

• Sandisk and 制定準開SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

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HBF 最大的記局突破
，HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力
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取消 確認憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的制定準開緊密合作關係，為記憶體市場注入新變數
。【代妈最高报酬多少】記局展現不同的憶體優勢
。

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU） ，新布實現高頻寬、力士低延遲且高密度的制定準開互連。而是記局代妈哪家补偿高引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層 ，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，【代妈助孕】憶體HBF）技術規範，新布但在需要長時間維持大型模型資料的代妈可以拿到多少补偿 AI 推論與邊緣運算場景中，雖然存取延遲略遜於純 DRAM，有望快速獲得市場採用。並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局
。代妈机构有哪些在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍，【代妈公司】將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，代妈公司有哪些

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世
。HBF 一旦完成標準制定 ，成為未來 NAND 重要發展方向之一，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，同時保有高速讀取能力。【代妈招聘公司】

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術，